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中国のShanghai Micro Electronics Equipment(SMEE)が、今年末までに独自の28nmリソグラフィ装置「SSA/800-10W」を市場に投入する予定である事が、TechWireによって報じられている。この技術的な進展は、中国が米国の半導体技術に依存する度合いを減らす可能性があるとして注目されている。

2020年には、SMEEが紫外線(UV)ベースのリソグラフィ技術の開発に成功しており、自国製の28nmチップを2021年末、20nmチップを2023年初めに製造する予定であった。しかし、米国、日本、オランダが中国企業に対して先端のウェハー製造装置の販売制限を開始したため、国営企業であるSMEEの進展が妨げられていた。

これらの制限により、業界専門家の間では新たな視点が生まれている。すなわち、これらの措置が米国主導の半導体産業に戦略的な優位性を維持する効果があるのか、それとも中国に半導体自給自足を目指す新たな機会を提供してしまうのかという問題である。

TechWireによれば、後者が現実となっているようで、SMEEは今年後半に 28nm 対応SSA/800-10Wスキャナを市場に投入し、SMICかチップ研究所に出荷するようだ。ただし、SMEEが大量にこのようなマシンを供給できるかどうかは、一定程度、外国製の装置に依存しているため、まだ不明である。

日本が最近発表した半導体製造装置に対する新たな輸出管理措置には、リソグラフィマシン、エッチング、クリーニング、堆積、マスキングなど、6つのカテゴリーにわたる23項目が含まれている。これらの措置の具体的な対象は明示されていないが、2020年以降、半導体製造装置の最大の輸入国であり、2021年には日本の半導体製造装置輸出の約40%を占めていた中国が、意図された対象の一つである可能性が高い。

このような背景を考慮すると、半導体製造は一国だけで独立して行うことはできない。中国も、グローバリゼーションを推進する国々と協力を模索すべきであると、北京に拠点を置く半導体産業アナリスト、Zhang Hong氏は述べている。


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