SK hynixは、高性能・大容量SSDを実現する238層「4D」NANDメモリデバイスの量産を開始した事を発表した。この新しいチップは、2,400MT/sのデータ転送速度を誇り、次世代の最高のSSD、PCIe 5.0 x4インターフェースを備え、12GB/s以上のシーケンシャルリード/ライト速度を提供する高速モデルに採用されることが見込まれる。

次世代プラットフォーム向けに業界最高レベルの238層を実現

SK hynixの238層TLC NAND ICの主な利点は、2,400MT/sというインターフェース速度だ。1600MT/sの3D NANDデバイスではPCIe Gen5 x4インターフェイスを満たす転送速度を実現できないため、12GB/s以上のシーケンシャルリード/ライト速度を持つSSDを構築するために必要なものである。

SK hynixの最初の238層3D NANDデバイスは、512Gb（64GB）の3D TLCデバイスで、同社の176層3D NANDノードで製造された同等のデバイスよりも製造効率が34％高いとのことだ。238L TLC NAND ICの歩留まりが高いと仮定した場合、ビットコストを最大34%削減できるため、デバイスのコスト競争力を高めることが出来る。また、小型化に加え、読み出し時の消費電力を21％削減できるため、スマートフォンだけでなく、モバイルPCにもメリットがあるとしている。

SK hynixの代表的な製品である238層のNANDデバイスは、チャージトラップフラッシュ（CTF）設計で、同社が「4D」NANDと呼んでいる独自のPUC（Peripheral Under Cell）レイアウトを採用している。このレイアウトは、メモリデバイスのサイズを小さくすることができ、SK HynixのNANDのさらなるコスト削減を可能にする。

SK hynixは、この新しい238層メモリをまずスマートフォンに使用し、その後、他の製品のポートフォリオに使用を拡大する予定だ。

「SK hynixは、238層NAND技術を採用したスマートフォンおよびPC用ストレージデバイスであるクライアントSSD向けのソリューション製品を開発し、5月に量産を開始しました。238層NANDと前世代の176層NANDの両方で、価格、性能、品質において世界トップクラスの競争力を確保したことから、これらの製品が下期の収益改善を牽引すると期待しています」と、同社なプレスリリースで述べている。

Source

• SK hynix: SK hynix Begins Mass Production of Industry’s Highest 238-Layer 4D NAND