IT之家によると、YMTCが、2400 MT/sインターフェイスの最新の232層3D NAND Xtacking 3.0メモリを搭載したZhitai TiPlus7100 SSDの出荷を開始したとのことだ。これにより、シーケンシャルリード速度12.4GB/sを叩き出すSSDを製造するために必要なYMTCの最新3D NANDメモリが量産に入ったことが確認された。
YMTCのZhitai TiPlus7100は、M.2-2280 PCIe 4.0 x4ドライブで、手頃な価格と強力なパフォーマンスを両立させるように設計されている。このSSDは、512GB、1TB、2TBのバージョンがあり、最も高速なものはシーケンシャルリード速度が最大7000MB/s、シーケンシャルライト速度が最大6000MB/sと評価されている。
ランダム性能に関しては、1TBと2TBモデルでは、最大900Kのランダム読取りIOPSと最大700Kのランダム書込みIOPSを実現している。TiPlus7100ドライブは、SDRAMバッファを搭載せず、ホスト・メモリ・バッファを使用しているため、リーズナブルな価格の製品を扱っているようだ。一方、これらのドライブは、現在入手可能な最高のSSDに性能面でも匹敵する。
| 容量 | 512GB | 1TB | 2TB |
| インターフェース | PCIe 4.0 x4, NVMe 1.4 | PCIe 4.0 x4, NVMe 1.4 | PCIe 4.0 x4, NVMe 1.4 |
| フォームファクタ | M.2-2280 | M.2-2280 | M.2-2280 |
| シーケンシャルリード | 7000 MB/s | 7000 MB/s | 7000 MB/s |
| シーケンシャルライト | 3600 MB/s | 6000 MB/s | 6000 MB/s |
| ランダムリード (4K) | 800K IOPS | 900K IOPS | 900K IOPS |
| ランダムライト (4K) | 600K IOPS | 700K IOPS | 700K IOPS |
| MTBF | 1.5M hours | 1.5M hours | 1.5M hours |
| 耐久性 | 300 TBW | 600 TBW | 1200 TBW |
| 保証 | 5年 | 5年 | 5年 |
YMTCは、Zhitai TiPlus7100 SSDに使用しているコントローラを公開していないが、重要なのは同社の1Tb X3-9070チップを使用していることだ。232層6面3D TLC NANDメモリデバイスで、2400 MT/sインターフェイスと同社独自のXtacking 3.0 アーキテクチャが採用されている。
1Tb X3-9070は、ビット密度15.03Gb/mm^2（TechInsights調べ）と、200層以下の1Tb 3D TLC NANDメモリICのビット密度を大きく上回るだけでなく、超高速2400MT/sインターフェイスを備えているのが特徴だ。
今週初めには、Micronが232層6面3D TLC NANDデバイスを搭載したMicron 2550ドライブを発表したが、ビット密度は14.6Gb/mm^2で、YMTCの232層3D TLC ICをビット密度で凌駕していると言われている。一方、現在出荷されているMicronのICは、インターフェイスが1600MT/sで、メインストリームのドライブには十分だが、PCIe 5.0 x4インターフェイスを持つ超高性能SSDには不向きだという。
各社のNAND層数
| YMTC | Micron | Samsung | WD/Kioxia | SK hynix | YMTC | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 出荷済み | 232-Layer | 232-Layer | 128-Layer | 162-Layer | 176-Layer | 128-Layer |
| 密度/平方mm | 15.03 Gb mm^2 | 14.6 Gb mm^2 | 6.91 Gb mm^2 | 10.4 Gb mm^2 | 10.8 Gb mm^2 | 8.48 Gb mm^2 |
| ダイ容量 | 1 Tb | 1 Tb | 512 Gb | 1 Tb | 512 Gb | 512 Gb |
| 次世代(発売時期) | ? | ? | 3xx (不明) | 212層 (不明) | 238層 (2023) | 196層 (2H, 2022) |
したがって、200層以上の3D NANDを量産しているのはYMTCだけではないが、2400MT/sのI/Oを持つメモリを量産しているのは同社が初めてとなる。しかし、これは長くは続かない。Micronは2023年初頭に2400MT/sのインターフェイスを持つ232層の3D NANDの生産を開始する予定だ。
