SK hynixは、DDR5-8000以降のメモリモジュールを搭載したサーバー向けMCR DIMMを開発したことを発表した。MCR（Multiplexer Combined Ranks）DIMMと名付けられたこの技術により、ハイエンドのサーバー用DIMMは、既存のDDR5メモリ製品（4.8Gbps）と比較して帯域幅が80%向上した、最低8Gbpsのデータレートで動作することが可能となる。

一般的に、DIMM でより高いスループット性能を確保する最も一般的な方法は、メモリ バス (およびチップ) のクロック速度を増加させ続けることだ。SK hynixは、IntelおよびRenesasと共同で、Multiplexer Combined Rank DDR5 DIMMを作成した。

Intelが以前発表したサーバーチップ用のMCR技術と、Renesasのバッファ技術における専門知識を組み合わせたSK hynixのDDR5 MCR DIMMは、従来のDDR5 DIMMよりも66%帯域が広く、8Gbps/ピン（DDR5-8000）の高速な帯域幅を実現しているという。SK hynixによると、MCR DIMMは現在DDR5として出回っているものよりも「少なくとも」80%高速になるとのことだ。

MCR DIMMは、特殊なバッファを使用して両方のランクを同時に動作させるデュアルランク・メモリ・モジュールだ。通常、2つの物理ランクを持つモジュールは1つのモジュールのように動作するため、ホストCPU（またはメモリコントローラ）がこのようなモジュールからデータを取得する場合、一度に64バイトのデータしか取得することができない。しかし、SK hynix、Intel、Renesasが開発したバッファは、2つの物理ランクを2つのモジュールのように並列に動作させ、両方のランクから同時に128バイトのデータをフェッチして性能を2倍にすることができる。つまり、2セット/ランクのメモリチップを並べて、有効帯域幅を2倍に出来るのだ。

MCRの特徴は、デュアルランクモジュールの両方の物理ランク（すなわちメモリチップ）が、ほぼ「標準」クロックで動作し続けることで、大容量モジュールの構築を簡素化することだ。一方、2つのモジュールから128バイトのデータをフェッチするRenesasのマルチプレクサバッファは、ホストCPUのメモリコントローラと8000MT/s以上のデータ転送速度で動作し、ここでも高速モジュールの構築を簡素化している。

すべてのバッファはレイテンシーを増加させ、電力を消費する傾向があるため、これらはシステムおよびモジュールレベルの両方で対処する必要があるものだ。一方、MCR DIMMをスムーズに動作させるためには、ホストCPUがこの技術をサポートする必要がある。したがって、既存のマシンにMCR DIMMを組み込んで、より高い性能と容量を得ることは出来ない。

SK hynixのDRAM製品企画責任者であるSungsoo Ryu氏は、「MCR DIMMの安定した性能のためには、モジュール内外のデータバッファとプロセッサのスムーズな相互作用が不可欠です」と述べている。

Intelは、将来のXeonプロセッサがMCR DIMMをサポートすると述べているが、どのCPUがいつこの技術をサポートするかは明らかにしていない。

「この技術は、Intel Xeonプロセッサーの帯域幅の大幅な増加を実現するために、Intelと主要な業界パートナーが長年にわたって行ってきた共同研究から生まれたものです。我々は、この技術を将来のIntel Xeonプロセッサーに導入し、業界全体の標準化と多世代開発の努力を支援することを楽しみにしています。」と、メモリおよびIOテクノロジ担当副社長であるDimitrios Ziakas博士は述べている。