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SK hynixは、高帯域幅メモリーの第5世代となる「HBM3E」メモリの量産を開始し、3月下旬に顧客に供給すると発表した。HBM3eの量産を開始したのは、先月の米・Micronに続き2社目となる。

仕様によると、SK hynixのHBM3E known good stack dies(KGSD)は、最大9.2GT/秒のデータ転送速度、1024ビットのインターフェイス、1.18TB/秒の帯域幅を特徴としているが、これは1秒間に230本以上のフルHD映画(各5GB)を処理するのに相当する。当然のことながら、前世代のHBM3が提供する6.4GT/秒および819GB/秒よりも大幅に高い性能を誇る。なお、同社は、8Hi 24GB HBM3Eメモリ・モジュールと12Hi 36GB HBM3Eデバイスのどちらを量産するかは明らかにしていないが、製造が容易な低容量の製品からHBM3Eの立ち上げを開始する可能性が高い。

SK hynixのHBM3Eスタックには、同社の高度なMR-RUF(Mass Reflow Molded Underfill)技術が採用されており、放熱を10%削減できる。この技術では、DRAM層間に強化アンダーフィルを使用することで、放熱性を向上させるだけでなく、HBMスタックの厚さを薄くすることが可能だ。結果、8-Hiモジュールと同じ高さの12-Hi HBMスタックを構築することが出来る。

SK hynixのHBM事業責任者であるSungsoo Ryu氏は、「HBM事業のサクセスストーリーと、長年にわたって築いてきた顧客との強力なパートナーシップにより、SK hynixはAIメモリの総合プロバイダーとしての地位を確固たるものにします」と述べた。

今回の発表を受け、NVIDIAはMicronとSK hynixの両社からHBM3Eメモリの供給を受けることが可能となる。

また、AMDもAI及びHPCアプリケーション向けの「Instinct MI300」シリーズラインナップに、より高性能なメモリ構成を見当している事も報じられており、SK hynixらのHBM3Eが使用される可能性がありそうだ。


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