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Samsung、2025年までに次世代HBM4メモリを発表へ

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Samsung Electoronicsは2025年までにHBM4メモリーを量産する計画を発表し、製造サービスを多様化して業界のニーズに応えようとしている。

Samsung ElectoronicsのDRAM製品・技術チーム長であるSang Joon Hwang氏は、Samsungのニュースルームのブログ記事でこの展開を明らかにし、同社がメモリ部門を昇格させる計画であると主張した。以下は、HBM分野におけるSamsungの過去の開発について、同部長が明らかにした内容である:

Samsungは、HBM2EとHBM3を量産し、9.8ギガビット/秒(Gbps)のHBM3Eを開発しました。このHBM3Eは、HPC/AIエコシステムを充実させるため、まもなく顧客へのサンプル提供を開始する予定です。

将来的には、非導電性フィルム(NCF)アセンブリやハイブリッド銅接合(HCB)など、高い熱特性に最適化された技術を開発中で、HBM4は2025年までに導入される見込みです。

この投稿で提供された情報によると、SamsungはHBM3メモリ・プロセスについて、NVIDIAを筆頭に、潜在的な顧客からすでに関心を集めている。生成AI開発の流入に伴い、関連ハードウェアの要件は新たな高みに達しており、そのためHBM3のような必要なコンポーネントの需要が急速に高まっている。

NVIDIAはサプライチェーンの多様化を図っており、AIアクセラレーターのDRAM需要を満たすのに十分な設備を持っているSamsungが重宝されている。

現行世代の進歩とは別に、Samsungは次世代HBM4プロセスの急速な進歩も計画しており、2025年までにデビューする予定だ。メモリの種類に関する具体的な詳細は不明だが、SamsungはHBM4が「非導電性フィルム」と「ハイブリッド銅ボンディング」を特徴とすることを明らかにしている。HBM4はまさに、次世代AIアクセラレーターへの移行を示し、業界の計算能力において新たな扉を開くことになるだろう。

Samsungは、特にチップパッケージング設備の開発にも注力していることから、「際立った」サプライヤーになりつつある。同社が潜在顧客の信頼を得ることに成功していることを考えれば、今後数年のうちにSamsungのメモリー部門が復活する可能性がある。


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