Micronは、新たにメモリ技術に関するロードマップを公開し、今後数年間の同社の計画している新製品の情報を一部明らかにした。新しいロードマップでは、これまで議論されていなかったHBM4Eメモリなどの新製品が明らかになり、ゲーム市場に対するMicronの計画が再確認されている。さらに、MCR DIMM設計に基づく256GB DDR5-12800メモリスティックについても言及されている。

Tom’s Hardwareが共有したMicronの公式ロードマップによると、高帯域幅メモリ（HBM）への取り組み強化が窺える。Micronでは、ほぼ毎年、より強力なモジュールが利用可能になるようだ。2024年初頭には、24GB 8スタックHBM3eメモリの初期リリースが予定されており、その後2025年には36GB 12スタックモジュールの登場が期待されている。

さらに、HBM4およびその後継であるHBM4eについても言及されている。第一世代は、36GBから48GBの容量を持つ12および16ハイスタックを可能にすることに焦点を当てており、HBM3eの1.2TB/sから1.5TB/sへの帯域幅の増加も見込まれている。恐らくこれらのメモリは、2026-2027年のHPCアクセラレータを牽引することになるだろう。

さらに2028年には、MicronはHBM4Eメモリを発表する予定だ。このメモリは12および16スタックで、スタックあたり48GBから64GBの容量増加が見込まれ、さらに、帯域幅は2TB/sにまで上昇するようだ。

ゲーム用GDDRメモリも、2024年末にGDDR7技術の導入によりアップグレードされる予定だ。GDDR7チップの初期リリースにより、帯域幅が32Gbpsに向上し、新しい24Gbモジュール（3GB）が導入される。この進歩により、消費者向けグラフィックスカードのメモリ構成がより複雑になることが予想される。この初期リリースの後、2027年と2028年には、帯域幅が36GbpsのGDDR7メモリがゲームGPU市場を形成すると予測されている。

ロードマップでは、2025年にMCRDIMM（Multiplexer Combined Ranks DIMM）メモリの導入を見込んでおり、128GBから256GBの大容量と、8800MT/sの転送速度が計画されている。今後数年間は帯域幅の増加に取り組む予定で、2026/2027年頃には12800MT/sに達することが期待されている。

また、さらなるメモリ拡張が必要なマシン向けに、Micronは128GB～256GBの容量とPCIeインターフェイス経由の最大36GB/秒の帯域幅を備えたCXL 2.0対応エクスパンダを出荷する用意がある。これらに続いて、72GB/秒以上の帯域幅と256GB以上の容量を備えたCXL 3.x準拠のエクスパンダが登場する予定だ。

更にロードマップによれば、8533 MT/sまたは9600 MT/sのデータ転送速度を持つLPDDR5Xは、しばらくの間、存続するが、一方、ノートパソコンや、モジュール上のメモリから恩恵を受けるその他のアプリケーション向けに、2025年からLPDDR5X-8533 16～128GBのLPCAMM2モジュールを提供し、その後2026年半ばから192GB以上の容量を持つLPDDR5X-9600 LPCAMMモジュールを提供する予定である。

Source

• Micron: Micron First to Enable Ecosystem Partners With the Fastest, Lowest Latency High-Capacity 128GB RDIMMs Using Monolithic 32Gb DRAM
• via Tom’s Hardware: Micron Plans HBM4E in 2028, 256GB DDR5-12800 RAM Sticks in 2026