ASMLは、次世代EUVリソグラフィ装置の開発に向けた第一歩として、業界初のHigh-NA極端紫外線（EUV）リソグラフィスキャナを年内に納入する予定であることを明らかにした。この装置は、開口数（NA）0.55のTwinScan EXE:5000パイロット・スキャナーであり、チップメーカーがHigh-NA EUV技術を効率的に使用する方法を学ぶために開発されている。こうした研究開発努力に続き、ASMLが商用グレードのツインスキャンEXE:5200スキャナーの出荷を開始する2025年には、High-NAスキャナーを使用したチップの大量生産が開始される見込みだ。
ASMLのCEO Peter Wennink氏は、Reutersのインタビューに応じ、「いくつかのサプライヤーは、実際の立ち上げと、適切なレベルの技術的品質を提供することに難色を示したため、若干の遅れが生じました。しかし、実際には、最初の出荷はまだ今年です」と、述べている。
現在、さまざまな工場で最も高性能なEUVスキャナーは、ASMLのTwinscan NXE:3400CとNXE:3400Dである。これらのスキャナーは、0.33開口数（NA）の光学系を搭載し、13nmの解像度を実現している。この解像度は、金属ピッチが30nmから38nmの製造技術でチップを印刷するのに適している。しかし、ピッチが30 nmを下回ると（5 nmを超えるノード）、13 nmの解像度では不十分となり、チップメーカーはEUVダブルパターニングやパターン形成技術を使用しなければならなくなる。EUVのダブルパターニングはコストとリスクを伴うため、業界では、10年後半を想定した製造技術で8nmの解像度を達成するために、NAが0.55のHigh-NA EUVスキャナーに取り組んでいる。
ASMLのHigh-NAスキャナーは、新しい光学系を採用するだけでなく、新しく大きな光源を必要とするため、半導体工場の構成を再び変えることになる。ASMLのHigh-NAスキャナーは、1台あたり3億ドルから4億ドル（0.33 NA EUVスキャナー1台あたり2億ドル以上）と、さまざまな報道で指摘されているが、それ自体が多額の投資になると予想されている。
Intelは当初、ASMLのHigh-NAツールを18A（1.8nm）生産ノードに使用する予定であった。このノードは2025年に量産を開始する予定であり、ASMLがTwinscan EXE:5200を納入する予定と一致していた。しかし、Intelはその後、18Aノードの生産開始を2024年後半に延期し、ASMLのTwinscan NXE:3600D/3800EとApplied MaterialsのEndura Sculptaパターンシェーピングシステムを使用して2回の露光を行い、EUVダブルパターニングの使用量を減らすことを選択したようである。
Intelは、ASMLのパイロット用High-NAスキャナーのアルファ・カスタマーとなる見込みであり、今年後半にこのマシンを受け取ったIntelの開発者とエンジニアは、Intelのプロセス技術を今後の量産用ツールに合わせることができる。Intel自身のプロセス・ノード計画に対するツールのタイミングを考えると、現時点では、いつ、どのようにツールを自社のプロセスに統合するかは不明である。18Aは長期的なノードになると予想されるため、Intelは当初はそのオプションが実行不可能であったとしても、High-NA EUVを使用するかも知れない。
一方、Samsung FoundryとTSMCは、2025年後半に2nmクラスのノード（SF2、N2）でチップの生産を開始する予定である。しかし、High-NAマシンが彼らの計画にどのように関わってくるかは、まだ不透明だ。
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