TSMCとIntelは、それぞれの先端半導体製造プロセスについて競り合っているが、TSMCは自社の3nmクラス（N3P）および2nmクラス（N2）の技術がIntelの1.8nmクラス（18A）と比較しても優れていると主張している。TSMCのCEOであるC.C. Wei氏によれば、N3PはIntelの18Aと同等の性能、消費電力、面積（PPA）を持ちながら、より早い市場投入、より成熟した技術、そしてより低いコストを実現するとのことだ。

Intelの20A（2nmクラス）および18A（1.8nmクラス）の製造プロセスは、RibbonFET GAAトランジスタと裏面電力供給ネットワーク（BSPDN）といった新技術を導入する予定であり、これによって高性能、低消費電力、高トランジスタ密度が可能になるとされている。これに対して、TSMCの3nmクラスのN3、N3E、N3P、N3Xは、既存のFinFETトランジスタと伝統的な電力供給ネットワークを使用している。TSMCでGAAが導入されるのは2025年後半に量産を開始するN2ノードで、BSPDNは2026年に量産を開始するN2Pノードで導入される予定だ。

TSMCは、2025年に市場に投入されるN3PがIntelの18Aと同等のPPAを、より低い価格で提供できると考えているようだ。さらに、N2はIntelの18Aを凌ぐと考えている。

TSMCが今後のプロセスノードに非常に自信を持っていることが明らかである。ただし、N3PとN2の具体的な数値についてはまだ公表されていないため、それらがIntelの18Aとどれだけ競り合えるのかについては確定的なことは言えないだろう。

Sources

• The Motley Fool: Taiwan Semiconductor Manufacturing (TSM) Q3 2023 Earnings Call Transcript
• via Tom’s Hardware: TSMC: Our 3nm Node Comparable to Intel’s 1.8nm Tech