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サムスン世界初の3nm GAAチップを7月25日に公開

Samsung Faundryは、6月30日に3nmチップの量産を開始したが、7月25日にイベントを予定しており、そこで世界最先端の半導体である3nmチップを公開する予定とのことだ。

最初の3nm GAAチップは小規模な生産で中国のマイニング業者に向けて生産される

業界・政府筋によると、Samsungが7月25日に京畿道華城市の製造センターで3nm GAAチップの初出荷式を行う意向であることを明らかにした。この式典には、通商産業エネルギー相であるLee Chang-yang氏、Samsungのデバイスソリューション部門社長兼CEOであるKyung Kye-hyun氏が出席する予定である。第一陣の受け取り先について、Business Koreaは次のように伝えている。

“最初のバッチを受け取る買い手は中国の暗号通貨マイニング業者であり、現在の暗号通貨市場の状況を考えると、長期的に信頼できない顧客である。その上、3nmチップは平沢ではなく華城で生産され、これはサムスン電子の最高級設備が平沢にあり、華城は製造技術を開発する場所という点で比較的小さな生産規模を意味する。”

スマートフォンのチップセットについては、Samsungが3nm GAA技術を使って、次期Exynos 2300を量産する可能性も示唆されている。そしてこのSoCは、次期Galaxy S23シリーズに使われるかもしれないし、もしかしたらその亜種がGoogleによってPixel 8ファミリーの第3世代Tensorチップに使われるかもしれない。それとは別に、Qualcommが採用する可能性もあるが、それはTSMCが自社の3nm技術で歩留まり問題を起こした場合のみである。

QualcommはSamsungに3nm GAAチップのサンプルの提供を依頼し、歩留まり、電力効率、その他の指標に関するSamsungの進捗状況に基づいて、注文を出すことができると伝えられている。ただし、残念ながら、11月15日に発表されると言われている次期Snapdragon 8 Gen 2は、恐らくTSMCの4nmプロセスのみで量産されるとのことだ。

Samsungの3nm GAAプロセスは、5nmプロセスと比較して、消費電力を最大45%削減し、性能を23%向上させ、面積を16%削減すると言われている。また、Samsungによると、消費電力を最大50%削減し、性能を30%向上させ、面積を35%削減する第2世代のバリエーションも既に計画されているとのことだ。

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