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今年デビューするGDDR7メモリに関する最初の噂は、昨年の夏に登場した。現在のGDDR6Xメモリと比較すると、GDDR7ははるかに高速で、最大37Gbpsの速度を誇る。メモリインターフェースによっては、対応するグラフィックカードのメモリ帯域幅も広くなる。そんなGDDR7メモリの最初のデモが近々行われそうだ。TechRadarによると、Samsungは来月サンフランシスコで開催される 2024 IEEE International Solid-State Circuit Conferenceで次世代 GDDR7 メモリを発表する予定とのことだ。

Samsungは最大24GbpsのGDDR6Xメモリを出荷しているが、GeForce RTX 4080 Superでは23.5Gbpsと、その限界に近いところまできている。そのため、グラフィックカードの開発を推進するためには、さらに高速なグラフィックメモリが必要となる。GDDR7は既存のGDDR6Xメモリと比べて最大50%以上の速度向上が見込める。そしてSamsungは、早ければ来年2月にも、おそらく性能仕様も含めて、GDDR7メモリを世界に正式に発表したいと考えているようだ。昨年の発表に反して、Samsungのプレゼンテーションでは、32Gbpsや36Gbpsのスループットのままではなく、ピン当たり37Gbpsからスタートすることになるという。ただし、これは即座に次世代のグラフィックスカードが37Gbpsのチップを搭載するとは限らない。

2024年2月20日、SamsungはISSCC(International Solid-State Circuits Conference) 2024において「A 35.4Gb/s/pin 16Gb GDDR7 with a Low-Power Clocking Architecture and PAM3 IO Circuitry」と「A 16Gb 37 Gb/s GDDR7 DRAM with PAM3-Optimized TRX Equalization and ZQ Calibration」と題したセッションを開催するようだ。ISSCCは、メーカーやその他の業界関係者が最新のSoCや固体回路の進歩を披露する世界的なフォーラムであり、DRAMやVRAMの新型も含まれる。

Samsungが今年のISSCCでGDDR7を披露することは、大きな驚きではない。既に昨年、Micronは2024年前半に、とSamsungも2024年以内にGDDR7メモリを出荷予定であることを発表しているからだ。

GDDR7 VRAMは、従来の信号方式に代わってPAM3信号方式を採用することで、帯域幅だけでなく消費電力も(GDDR6/Xと同じ性能レベルで)大幅に改善されると期待されている。もちろん、GDDR7を最大限に活用しても、ワットあたりの性能が高いだけで、最新のGDDR6構成に匹敵する電力を消費する可能性がある。USB4の次期リビジョンでも、消費電力を削減するためにPAM3信号が採用される見込みだ。

今年のISSCCでは、SK hynixの1ピン当たり35.4Gb/秒の低消費電力GDDR7と、Samsungの1ピン当たり37Gb/秒の高消費電力GDDR7の2つのバージョンのGDDR7 VRAMが登場する見込みだ。参考までに、Micronンによれば、GDDR6Xのピンあたりの帯域幅はおよそ19~24ギガビットである。

Samsungの開催するプレゼンテーションの1つ「A 35.4Gb/s/pin 16Gb GDDR7 with a Low-Power Clocking Architecture and PAM3 IO Circuitry」からも、この低消費電力バージョンはノートPCをターゲットにしている可能性が高そうだ。

一方、ハイパワーGDDR7のプレゼンテーションは、「A 16Gb 37Gb/s GDDR7 DRAM with PAM3-Optimized TRX Equalization and ZQ Calibration」と題されている。これは、デスクトップGPUに搭載されるGDDR7のバージョンに相当する可能性が高い。

実際にGDDR7が出荷製品に搭載され、グラフィックスカードやノートPCに組み込まれ、我々エンドユーザーが楽しむことができるようになるまでにどれくらいの時間がかかるかは、時間が経ってみなければわからない。しかし、過去のコメントやISSCCでのSamsungのプレゼンテーションのタイミングを考慮すると、GDDR7搭載GPUは年内に我々の手元に届くことになりそうだ。


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