Samsungは、2022年中に236層のNANDフラッシュをリリースする予定であると、Business Koreaが報じている。同社は現在176層のNANDフラッシュを提供しているが、競合他社が続々と200層以上のNANDフラッシュを発表している中、同社は市場のリーダーであり続けることを目指すようだ。

Samsungは、年内に236層のNANDフラッシュチップをリリースするために、8月末までに新しい研究開発センターを設立し、そこでより高度なNANDフラッシュ技術を研究開発することを計画しているとのことだ。

目的の達成のために、Extreme 2-stack技術を採用すると見られる。同社は、数年前にExtreme 2-stack技術を発表しており、これにより競合他社が採用する方法よりも高い積層を実現するとのことだ。

実際、Samsungは現在の176層NANDフラッシュチップを作るのに、Extreme 2-stackの積層技術を使っている。理論上はExtreme 2-stackの積層では、合計256層まで積層することが可能だ。しかし、Samsungが数年前に176層という制限を設けたのは、実現可能な最大層数ではなく、その時点で最適な構成として、176層が判断されたからだ。

チップセット製造の新たな進歩により、Samsungは現在、236層をベースにした新しいNANDフラッシュ設計を最適化する準備が整っているとのことだ。

200層以上のNANDフラッシュについては、既にSK HynixやMicron Technologyといった他の企業も、それぞれ238層と232層というNANDフラッシュチップを開発・出荷していることを発表した。

Statistaによると、Samsungは2022年第1四半期に35.3%のNANDフラッシュ市場シェアを獲得している。同3カ月間に18.9%のシェアを獲得した2位のNANDフラッシュメーカー、Kioxiaとの間にかなりの差をつけ、Samsungがこのセグメントをリードしている。