DRAM

  • ADATA、次世代CAMM、MR-DIMMメモリモジュールを公開

    ADATA、次世代CAMM、MR-DIMMメモリモジュールを公開

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  • SK hynix、HBM3Eメモリの情報を初公開：8GT/sを達成する超広帯域HPC用メモリとなる

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  • Micron、広島ファブに日本初のEUV装置を導入し2025年にDRAM製造開始

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  • Samsung、最先端の12nm DDR5 16Gb DRAMの量産を開始：最大7200Mbps＆23%の効率化を実現

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  • Samsung、世界初のCXL 2.0規格搭載DRAMを発表

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  • DDR4メモリの更なる値下げが起こる

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  • SK hynix、1スタックあたり24GBの容量を持つ12層HBM3メモリを初めて発表

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  • Samsung、営業利益が前年比96％減を記録、メモリチップの生産量削減を表明

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  • Cadence、業界初のGDDR7検証ソリューションを発表

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  • SK hynixの次世代10nm DRAM、IntelのDDR5検証テストを開始

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