SK hynixは、次世代高帯域幅メモリHBM4の開発が2024年に開始されることをブログ投稿の中で明らかにした。

HBM4については、これまで、MicronとSamsungがリストアップし、開発を明らかにしていた。この2社は、発売時期を2025～2026年頃としている。SK hynixが明らかにした所では、同社は2024年に次世代のHBM4の開発を開始する予定であるとのことだ。

次世代HBM製品について、シニアマネージャーKim Wang-soo氏は、同社が2024年に既存のHBM3メモリの改良型である独自のHBM3Eソリューションを量産すると強調した。この新しいメモリは、速度と容量が向上する。しかし同年、SK hynixはHBM4メモリの開発にも着手する予定であり、これはHBM製品スタックの継続的な進化における大きな一歩となる。

競争優位は来年も続くGSMチームのリーダーであるKim Wang-soo氏は、「来年にはHBM3Eの量産・販売が予定されており、当社の市場優位性は再び最大化されるだろう」と述べた。さらに、「後続製品であるHBM4の開発も本格化する予定であるため、SK hynixのHBMは来年、新たな局面を迎えることになる」。と述べた。

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現在、開発は2024年に計画されているため、このようなメモリ・ダイを利用した実際の製品は、2025年末か2026年までに利用可能になると予想される。Trendforceが共有した最近のロードマップによると、最初のHBM4サンプルはスタックあたり最大36GBの容量を特徴とし、JEDECによって2024-2025年後半頃に完全な仕様が発表されると予想されている。最初の顧客向けサンプリングと供給開始は2026年と予想されており、新しい広帯域メモリ・ソリューションを実際に目にするまでにはまだ多くの時間がある。

36GBスタックでは、最大288GBの容量を得ることができ、さらに大容量化が計画されている。HBM3Eメモリの最高速度はすでに9.8Gbpsなので、HBM4が初めて2桁の10Gbps以上の壁を破ることが期待できる。製品としては、NVIDIAのBlackwellがHBM3Eメモリモジュールを利用すると予想されているため、Blackwellの後継（おそらくVera Rubinのコードネーム）か、Hopper H200（HBM3E）のようなそのアップグレード版が、HBM4を利用する最初の製品になるだろう。

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