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Samsung Semiconductorは、次世代のストレージ規格「UFS 4.0」を発表した。これにより、従来規格のUFS 3.1に比べて優れたデータ転送速度、電力効率が得られるとのことだ。

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Samsung Semiconductor : Twitterへの投稿

この記事の要点
  • Samsungが次世代ストレージ規格「UFS 4.0」を発表
  • UFS 4.0では、1レーンあたり23.2Gbpsの帯域幅を実現し、UFS 3.1比で2倍を実現している
  • 大量生産は2022年の第3四半期とのこと。実際の採用は2023年からになる模様

UFS4.0ストレージは最大4,200MB/秒のシーケンシャル読み取り速度を実現

UFS(Universal Flash Storage)は、多くのスマートフォン、タブレット、などに採用され、その根本を支えている重要なテクノロジーの1つだ。他の形式のフラッシュストレージよりも高速で、ロード時間を削減し、ハイエンドプロセッサと連携することで、更に優れたパフォーマンスを発揮する。

Samsung Semiconductorは、UFS 4.0のいくつかの詳細を明らかにした。これは、今後発売されるGalaxy Z FoldやGalaxy Z Flip 4、そして来年のGalaxy S23でも恐らく使用される事になるだろう。

SamsungのUFS4.0ストレージは、韓国のメーカーの第7世代V-NANDフラッシュメモリを使用し、同社独自のコントローラーと組み合わせることで、最大4,200MB/sのシーケンシャル読み取り速度を実現し、最大2,800MB/秒のシーケンシャル書き込み速度を提供するという。さらに。UFS 4.0は、合計帯域幅を1レーンあたり23.2Gbpsに引き上げ、UFS3.1の2倍の転送速度を実現している。Samsungによると、この帯域幅の増加は、以下に述べるように、さまざまなアプリケーションにとって有益だとのことだ。

UFS 4.0は、従来のUFS 3.1の2倍となる1レーンあたり最大23.2Gbpsの高速化を実現しました。これだけの帯域は、膨大なデータ処理を必要とする5Gスマートフォンに最適で、さらに今後の車載用アプリケーションAR、VRなどでも採用が期待されています。

UFS 4.0は消費電力面でも優秀だ。Samsungによると、前世代と比較して、シーケンシャル読み取りに関しては省電力性能が46%向上するとのことだ。

新しい規格は最大1TBの内部ストレージを実現している。SamsungのUFS 4.0フラッシュメモリは今年の第3四半期に大量生産されるため、今年後半に登場するフラッグシップのいずれも新しい規格をサポートしない可能性が高い。ただし、Galaxy S23のラインナップが2023年に発売されれば、他のスマートフォンへの採用も増えていくことだろう。

UFS 4.0により、アプリのレスポンスが良くなり、アプリを開く速度も大幅に向上し、おそらくAppleがiPhoneに採用しているNVMeストレージに匹敵するものになると考えられる。なお、Samsungは、この新しいストレージがUFS 3.1と比較して量産コストがどの程度高く(もしくは低く)なるのか、それについては言及していない。

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