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2月20日、国際固体素子回路会議(ISSCC)が開催されるが、その壇上でSamsungが280層のQLC 3D NAND SSDを発表する予定である事が明らかになった。

ComputerBaseによると、ISSCC会議において、Samsungは「A 280-Layer 1Tb 4b/cell 3D-NAND Flash Memory with a 28.5Gb/mm² Area Density and a 3.2GB/s High-Speed IO Rate」と題したセッションを開催する予定とのことだ。

ドイツのComputerBaseが報じたように、Samsungは次世代QLC NAND V9フラッシュソリューションを発表する準備をしており、1平方ミリメートルあたり28.Gbitという業界をリードする密度と、QLCフラッシュとしては高速なIOレートを持つとSamsungは主張している。

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(Credit: Samsung)

UFSカードやM.2カードは、物理的なスペースが限られているため、これらのフラッシュ・チップの高密度化の恩恵を受けることができる。現在YMTCは、232層で20.62Gb/mm²の密度を持つ1Tb QLCチップを提供しており、Micronの密度は232層で19.6Gb/mm²、WD/Kioxiaは162層で13.86Gb/mm²レベルだ。SK hynixの512GビットQLCチップは、176層で14.40Gビット/mm²の密度であるため、Samsungが新たに披露すると見られる280層と28.5Gb/mm²の面密度は業界新記録である。

MicronSamsungWD/KioxiaSK hynixYMTC
発売中の製品232-Layer QLC280-Layer QLC162-Layer QLC176-Layer QLC232-Layer QLC
密度/平方mm19.5 Gb mm²28.5 Gb mm²13.86 Gb mm²14.40 Gb mm²20.62 Gb mm²
ダイ容量1 Tb1 Tb1 Tb512 GbN/A
次世代(リリース日)?不明212層(不明)238層(2024)不明

チップの密度をGb/mm²単位で高めるには、層数を増やすことが重要だ。Samsungの層数は280層と最も多く、次いでSK hynixの238層、YMTCとMicronの232層、WDとKioxiaの218層と続く。SK hynixは、来年321層のチップを発表するとしている。他のサプライヤーが追いつくまで、SK hynixが密度で優位に立つ可能性は十分にある。

Tom’s Hardwareのレポートによると、このSamsungのフラッシュは16TBのM.2 SSDを実現する可能性もあるという。とはいえ、Sk hynix Platinum P41は2TB、Seagate FireCuda 530は2TB、Samsung 990 Proは4TB、Micron 7400 Max M.2は3.2TBである。8TBはありそうだが、一気に16TBは果たして登場するのだろうか。これまでのところ、Samsungは消費者向けドライブで4TBを超えるものをまだリリースしていないため、同社のV9テクノロジーは消費者向けSSDの容量におけるパラダイムシフトにつながる可能性がある。


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