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Samsungが300層3D NANDの製造を計画している事が、DigiTimesの取材で明らかになった。これはこの分野で先頭を走るSK hynixに続く物だ。

既にSK hynixは数日前のFMS 2023で321層のNANDを発表している。Micronは232層、SK hynixの子会社Solidigmは192層、Kioxia/WDはBiCS gen 8技術で218層レベルである。中国のYMTC技術の進歩は、米国のIT技術輸出規制により停止している。

一般的に言って、3D NANDの層数が多ければ多いほど、セルの寸法が変わらないと仮定した場合、ダイの容量は大きくなり、フラッシュのTBあたりの製造コストは低くなる。これは、既存の容量レベルのフラッシュドライブを製造するために必要なNANDチップの数を減らし、より大容量のフラッシュドライブを製造し、うまくいけば、TBベースのコストを下げることにつながる。

300層のSamsung V-NANDデバイスは、2つの150層コンポーネント(セルのストリング)を一緒に積み重ねることによって実現するようだ。フラッシュ・ウェハー上の3D NAND素子に層が増えるにつれて、ダイ製造の一環として、層間の穴(ビア)をエッチングし、化学物質で穴を並べる必要がある。これらはウェハーの平面に対して垂直である必要があり、無数の層を貫通するため、規則的な断面と形状を持つ必要がある。

層数が増えるにつれて、これらの特性を確保することはますます難しくなり、良品ダイ対不良品ダイという意味で、ウェハーの歩留まりは低下する。150層のコンポーネントを2つ積層することは、製造には時間がかかるものの、300層の製品を1つ作るよりも製造面では容易である。

更にSamsungの第10世代の3D NANDは430層ダイになる可能性があり、これも3ストリング積層技術を使う可能性がある。

MicronとWD/Kioxiaは300層技術への移行を促されるだろう。そうしない限り、生産コストはSamsungとSK hynixの両社より高くなり、価格面で不利になるからだ。同様に、SK hynixの子会社であるSolidigmも同じ成長圧力に直面するだろう。


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