Samsung、SF4Xプロセス技術でHCP分野での飛躍的な進歩を目指す

masapoco
投稿日
2023年5月16日 9:54
semiconductor wafer

Samsungは、今後発表するSF4Xプロセス技術により、ハイパフォーマンス・コンピューティング(HPC) の分野に革命を起こそうとしている。この技術は、従来4HPC(4nmクラスのハイパフォーマンス・コンピューティング)として知られているもので、データセンターのCPUやGPUなど、性能が要求されるアプリケーションに対応するよう設計されている。

SF4Xは、その前身である標準的なSF4(4LPP)と比較して、10%の性能向上と23%の消費電力削減を約束している。これらの改善は、トランジスタのソースとドレインの包括的な再評価と再設計、トランジスタレベルの設計と技術の共同最適化、およびMOL(Middle of Line)回路の再設計の結果としてもたらされる。

SF4Xは、TSMCのN4PノードとN4Xノードに対抗するもので、それぞれ2024年と2025年にリリースが予定されている。しかし、どの技術が性能、電力、トランジスタ密度、効率、コストのベストミックスを提供するかを判断するのは時期尚早である。

データセンターのCPUやGPUなどの高性能コンピューティング・アプリケーションは、相当な電力を必要とし、定期的に高負荷を処理するよう設計されています。そのため、SF4Xのようなより高度なファブリケーションプロセスは、CPUやGPUの性能と効率を大幅に向上させることが出来る。

SF4Xは、HPCアプリケーション向けに特別に開発されたSamsung初の最新ノードであり、Samsungがその努力を正当化するのに十分な市場需要を見込んでいることを示している。HPCは業界のメガトレンドであり、Samsung Foundryは、この技術がSamsungの150以上の顧客の少なくとも一部で採用されることを期待しているようだ。


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