Samsungは、最大7.2Gbpsの転送速度を実現する次世代12nmクラスDDR5 DRAMを開発したと発表した。
Samsungが開発したDDR5 DRAMは、業界初の12nmプロセス技術を用いたものであり、既に、AMDとの互換性の評価も完了しているとのことだ。AMDは既に最新Ryzen 7000シリーズにおいて、DDR5へと完全に移行している。
AMDのコーポレート・フェロー兼クライアント・コンピューティング・グラフィックスCTOのJoe Macri氏は、「イノベーションには、技術の限界を超えるために、しばしば業界のパートナーとの緊密な協力が必要です。特に、「Zen」プラットフォームで最適化され検証されたDDR5メモリ製品を紹介する上で、Samsungと再び協力できることをうれしく思います。」と述べている。
今回の新型DDR5 DRAMの実現にあたっては、セルの静電容量を増加させる新しい高誘電率材料と、重要な回路特性を改善する独自の設計技術が要だったとのことだ。また、EUV（Extreme Ultraviolet）リソグラフィーを採用することで、業界最高レベルのダイ密度を実現し、ウェハーの生産性を20％向上させることにも成功している。
Samsungの12nmクラスDRAMは、最新のDDR5規格を活用し、最大7.2Gbpsの転送速度を実現する。これは、30GBのUHD映画2本をわずか1秒で処理するレベルと同等だ。
また、電力効率も向上しており、従来のDRAMと比較して消費電力を最大23%削減しているとのことだ。
Samsungは、2023年の量産開始を目指し、この最先端12nmクラスのプロセス技術を用いたDRAMのラインアップを幅広い市場分野に広げ、業界のパートナーとともに次世代コンピューティングの急速な普及を支えていく予定とのことだ。
SamsungのDRAMプロダクト＆テクノロジー担当エグゼクティブバイスプレジデントであるJooyoung Lee氏は、「当社の12nmレンジDRAMは、DDR5 DRAMの市場導入を促進する上で重要な役割を果たすでしょう。卓越した性能と電力効率により、当社の新しいDRAMは、次世代コンピューティング、データセンター、AI駆動システムなどの分野において、より持続可能な運用の基盤となることを期待しています。」と述べている。
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