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テクノロジー
SK hynixが9GT/秒を誇るHBM3Eメモリのサンプル出荷を開始
SK hynixは月、同社初のHBM3Eメモリ・スタックの初期開発を完了し、顧客へのサンプル出荷を開始したと発表した。高帯域幅メモリ技術の更新バージョンは、来年前半に大量... -
テクノロジー
Micron、 1.2TB/秒を実現する「HBM3 Gen2」メモリを発表:更に2TB/秒以上の帯域幅を持つ次世代HBMを予告
Micronは本日、新たな「HBM3 Gen2」メモリ製品を発表し、サーバーグレードのGPUやその他のハイエンドプロセッサーで広く使用されている高帯域幅メモリの製造を開始し、... -
テクノロジー
Samsung、打倒SK hynixのために今年後半にAI用メモリを増産へ
Samsungは、急激に需要が拡大したAI関連半導体に希望を見出しており、不振を極めるメモリチップ市場において、突出した需要を記録している高帯域幅メモリ(HBM)への投... -
テクノロジー
SK hynix、HBM3Eメモリの情報を初公開:8GT/sを達成する超広帯域HPC用メモリとなる
SK hynix は、同社の1bnmノードが、最初のデータセンター向け製品として検証されたことを発表した。このノードは、DDR5とHBM3Eメモリ(後者はHigh-Bandwidth-Memoryのさ... -
テクノロジー
SK hynix、1スタックあたり24GBの容量を持つ12層HBM3メモリを初めて発表
SK hynixは、高密度化と819GB/sの極端な帯域幅を両立する世界初の12層24GB HBM3メモリを発表した。この製品は前世代と比較して1スタックあたり24GBまで容量が増加して...