半導体技術の世界的リーダーであるSamsungは、2025年までに2nmチップを、2027年までに1.4nmチップを製造するという野心的な計画を発表した。カリフォルニア州サンノゼで開催された年次イベント「Samsung Foundry Forum」で発表されたこの発表は、チップ製造技術の大きな飛躍を告げるものである。
Samsungの革新へのコミットメントは、今後数年間のロードマップにも表れている。同社は、高性能コンピューティング（HPC）、自動車、5G、モノのインターネット（IoT）などの高性能・低消費電力半導体市場をターゲットに、先端プロセスノードの能力を「3倍以上」に拡大することを目指している。
同社の戦略には、来るべき2nmおよび1.4nmプロセス向けにGAA(Gate All Aroud)トランジスタ・アーキテクチャを強化することが含まれる。この先進技術により、性能と電力効率の向上が期待され、広範なアプリケーションに最適となる。
同社の主張によると、SF2（Samsung Foundry 2nm）は2025年に顧客に提供される予定である。この製造技術は、同じクロック速度と複雑さで25%高い電力効率を提供する。また、今年初めに製造を開始した第2世代の3nmチップと比較して、性能は12％向上し、ダイ面積は5％減少する。2nmチップをより魅力的なものにするため、Samsung Foundryは、LPDDR5X、HBM3、PCIe Gen 6、112G SerDesなど、さまざまなチップ設計にこの技術を統合する方法を提供する予定だ。
更にSamsungの2nmチップ（SF2）には、SF2P（Samsung Foundry 2nm Performance）と呼ばれる第2世代の2nm級半導体チップ製造プロセスが続く。これらのチップはハイパフォーマンス・コンピューティング向けに最適化され、2026年に利用可能になる。2027年には、SF2A（Samsung Foundry 2nm Automotive）を車載チップ向けに利用可能にする。
同社の2nmクラスのチップは、TSMCの2nm製造技術と同時期に顧客に提供される予定だ。そのため、AMD、Apple、MediaTek、NVIDIA、Qualcommなど大物チップクライアントがどちらのプロセスを選択するかが注目される。Intelの2nm級チップ製造プロセスは20Aと呼ばれ、2024年に登場する予定だ。
Samsung Foundryはまた、5nmのRF（無線周波数）チップを2025年前半に投入する予定だ。これらは6Gアプリケーションに使用される予定だ。現行世代の14nm RFチップに比べ、電力効率は40％改善し、トランジスタ密度は50％向上する。8nmと14nmのRFチップは自動車向けに提供される。
半導体業界は現在、消費者需要の低迷により低迷に直面している。しかし、Samsungの「シェル・ファースト」戦略と呼ばれる積極的な投資戦略は、2027年までに生産能力を今年の3倍以上に拡大することを目指している。この戦略は、市場の需要によりよく対応し、顧客の信頼を確保するためのものである。
現在の市場環境にもかかわらず、Samsungは将来を楽観視している。同社は、同じ期間内に受託製造からの収益を3倍にすることを目指している。Samsungのファウンドリー生産ラインは5カ所にあり、1カ所は建設中である。市場の回復は2024年に始まり、2025年には加速すると予想されている。
Samsungはまた、韓国の平沢と米国テキサス州テーラーにあるチップ工場の製造能力を拡大している。Samsung Foundryの平沢ライン3（P3）でのチップ量産は2023年後半に開始される。テキサス州テイラーの新工場は年内に完成し、2024年後半に量産を開始する。また、韓国の龍仁にもチップ生産を拡大している。
Samsungの発表は、より小型で効率的なチップの生産競争が過熱する中で行われた。同じく半導体業界の大手であるTSMCも、9月にN3プロセスによる3nmシリコンの量産を開始する計画を発表した。TSMCは、Samsungが2nmチップの投入を計画しているのと同じ2025年に、N2 2nmプロセスの生産を開始する予定だ。
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