Samsung、シリコンバレーに新たな半導体研究所を開設、次世代3D DRAMを研究へ

Samsung Electronicsは、米国シリコンバレーに新しい半導体研究所を開設した。この研究所はSamsung ElectronicsのDSA（Device Solutions America）部門に属し、報道によると、次世代3D DRAM技術の開発に注力するとのことだ。

Samsungの新しいメモリ研究所は、同社がメモリ製品の次の波をリードするための次世代技術を開発する。Samsungは、10nm以下の製造技術を使った新しいDRAM構造を開発しているという。Yonhapによると、この新技術は最大100Gb（各チップ）の大容量メモリーチップをもたらすという。2013年、Samsungは世界で初めて3D縦型NANDフラッシュメモリーを商品化したが、3D DRAMを開発するのもSamsungが初めてとなる可能性がある。

メモリーチップ市場は、1年間のひどい局面を経て改善しつつある。Samsungの半導体部門は昨年、チップ市場の低迷により史上初の赤字を計上した。COVID-19パンデミック後のクラウドサーバーブームの後、複数のテクノロジー企業がメモリチップを大量に発注したが、その後、景気後退が世界を襲い、企業は支出に慎重になった。そのため、メモリチップは供給過剰となり、顧客はそれほど多くのチップを購入しなくなり、メモリチップ価格の下落につながった。

しかし、OpenAIのChatGPTの立ち上げ後のAIブームのおかげで、多くのメモリを必要とするAIサーバーに投資する企業が増えた。そのため、メモリーチップの価格は上昇しており、専門家によれば、2024年はMicron、Samsung、SK hynixなどのメモリーチップ企業にとって良い年になりそうだ。OpenAIのCEOであるSam Altman氏は最近、AIチップ・ベンチャーの可能性を求めて韓国を訪れ、SamsungやSK hynixの幹部に会ったとも伝えられている。2024年に登場されると言われている次期Windows AI PCでは16GBのRAMが最低でも必要とも言われており、これによるDRAM需要の増加も予想されている。

Source