Samsungは、モバイルAI（人工知能）およびゲームアプリケーションに最適な「特別なタイプのDRAM」を発表した。「LLW DRAM」と呼ばれるこの新たなメモリは、Low Latency Wide IOの略で、その名の通り「低遅延」を売りにしている。
Samsungは今年の1月にTech DayでLLW DRAMの開発を発表していた。また、10月のMemory Tech Dayでは、HBM3E ShineboltおよびLPDDR5X CAMM2ソリューションについても簡単に触れた。
今日、Samsungはビデオを通じてLLWチップを再び紹介した。同社はX（旧Twitter）で44秒の広告を公開し、LLW DRAMを紹介している。
このビデオによると、LLWソリューションは通常、SoC上のCPUのすぐ隣に配置されるようだ。これは「Low Latency」（低遅延）を謳う製品としては理にかなっている。しかし、興味深いことに、このビデオはLLWチップがCPUと共に動作し、従来のDRAMを完全に置き換えるわけではないことを示唆している。
Galaxy S24はLLW DRAMを搭載するのかどうかは不明だが、Galaxy S24シリーズがこの技術を使用する最初のスマートフォンになる可能性がある。
Samsungは、次期フラッグシップモデルに新しいAI機能を準備しており、同社はこれが来年初めに登場することを確認しています。そして、SamsungはS24を「AIフォン」として紹介する予定だ。すべてを考慮すると、Galaxy S24はLLW DRAMの発売プラットフォームとしても使用されるかもしれない。
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