韓国の経済ニュースサイトChosun Bizによって、SK hynixが、最近、Intelの次期DRAM規格であるサーバーサイド用DDR5メモリの互換性検証プロセスに参加した事が報じられている。同社にとってこのステップは、特にサーバー用DRAMの新製品量産に一歩近づいたことになる。
SK hynixは、同社の新しい10nmクラスの第5世代サーバーDRAMについて、Intelからの完全な互換性検証を待つことになる。そして来月には、この新しいDRAMがIntelのサーバー・プロセッサーに利用できるかどうかの検証作業が始まる予定だ。これは先月のカンファレンスコールで発表されたもので、同社は “今年の半ばには1b DRAMの量産準備を完了させる”と述べていることが紹介された。
SK hynixは、Intelがサーバープロセッサー市場で90%の安定性を維持している中、Intelのプロセッサーと組み合わせてデータセンターなどのサーバーでフル活用されることを期待している。また、SK hynixは10nmクラスの第4世代サーバー用DRAMを初めて実現し、IntelもSapphire Rapidsと呼ばれる新しいIntel Xeonスケーラブル・プロセッサーを発表している。
SK hynixのビジネスプランの次のステップは、将来的に生産が開始される1ß Nano DRAMの発売だ。この新しいDRAMは、コストが高い同社の競合品と比較して、効率を40％向上させるという。
同じくメモリ業界をリードするSamsungは、先日、1ß Nanoプロセスを利用した16GBのDDR5 DRAMを発表した。Samsungが互換性検証の相手として選んだのは、IntelのCPUのライバルであるAMDだ。
更に先日、SK HynixやSamsungといったDRAMメーカーが、HBMを含むメモリソリューションの価格を引き上げていることが明らかになった。NVIDIAは、SK hynixに対して、HBM3の生産能力を高めるよう要請していた。しかし、Intelなど他のベンダーは、次世代製品内にHBM3を組み込むことを検討している。そうなると、SK hynixは自社製品の需要を維持できなくなる。これによって、HBM3メモリの価格設定は、当初のコストの最大5倍まで上昇している。
現在、SK hynixとライバルのSamsungは、より新しいEUV（Extreme Ultraviolet）リソグラフィー工程でコンピュータ部品を製造できる唯一の有能なメーカーだ。
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