台湾の經濟日報によると、Huaweiは極端紫外線(EUV)リソグラフィスキャナに関する特許を申請しているようだ。これまで他社から購入していたリソグラフィスキャナについて、Huaweiが関連特許を取得しているという動きは、同社が自身でこのようなスキャナを構築し、将来的に自国内の技術のみで7nm以下のチップを生産するための中国の野望の一環である可能性がある。

11月中旬、Huaweiは国家知識産権局にEUVスキャナーとその主要コンポーネントをカバーする特許を申請した。特許出願番号は202110524685Xであると、快科技は報じている。

この特許は、13.5nmのEUV光源（光源）、反射鏡、露光装置、「制御管理技術」（これが計測技術の呼び方だと推測される）など、EUVスキャナーの重要な構成要素をすべて網羅しているようである。

EUVスキャナーは、多数の最先端部品が完璧に連動し、長時間動作しなければならない非常に複雑な機械であり、特許を出願することと、スキャナの製作はイコールではない。さらに、EUV装置が手元にあったとしても、チップメーカーは、マスク用のペリクルやレジストなど、大量生産に必要なさまざまなものを考えなければならない。

数値開口数0.33のEUVスキャナは、現在の半導体製造装置の最高峰である。数多くの企業がこのようなツールの開発に挑戦したが、10年以上の開発期間を経て、Intel、Samsung、TSMCの資金援助を受けて成功したのはASMLだけだった。現在、Samsung、SK hynix、TSMCはASMLのEUVツールを積極的に使用しているが、Intelはまだこのツールを使用してチップの量産を開始していない。

現時点では、Intel、Micron、Samsung、SK hynix、TSMCの5社のみがEUVスキャナーを使用しているか、使用する予定である。さらに、EUVスキャナーを活用できるほど高度なプロセス技術を開発している（または開発する予定がある）のも、この5社だけである。一方、中国のSMICは、ワッセナーの取り決めにより、EUVベースの製造プロセスを独自に開発するために、すでに調達したEUV装置を手に入れることができなかった。したがって、EUVスキャナーの需要が潜在的に中国に存在することは明らかであり、Huaweiはそれに対応することに熱心であったようである。

Huaweiは、年商1000億ドル規模の世界的なハイテクコングロマリットとして、さまざまな目標を追求し、多くの技術を開発している。同社の半導体生産の野望はよく知られており、それはチップ生産にとどまらず、ウェハファブ装置（WFE)の構築にも及んでいる。同社はEUVスキャナーをカバーする特許を申請しており、HuaweiのWFEへの取り組みはかなり進んでいる。