Micron（マイクロン）は、メモリチップの電力効率を15％、ビット密度を35％向上させる1β(1-beta) DRAMを発表した。1β DRAM テクノロジーは、DUV（Deep Ultraviolet）リソグラフィによって製造され、EUV（Extreme Ultraviolet）ツールを使用しない同社最後のDRAM生産プロセスとなる。

Micronによると、9月に「量産準備完了」を達成し、その後、2023年の市場投入が見込まれる製品向けに、スマートフォンメーカーやチップセットの顧客に対してLPDDR5Xのサンプルを発送したとのことだ。

今後、Micronはこのノードで製造するメモリ製品を、LPDDRからDDR5、HBM、グラフィックスメモリへと拡大していく予定だ。1β製品は、当初は日本の広島にあるMicronの製造工場で生産される。

1β製造プロセスは、同社の第2世代HKMG（High K Metal Gate）を使用しており、ダイあたり16Gbの容量と8.5Gbpsのデータレートを誇り、従来の1α（1-alpha）プロセスノード技術で製造した製品と比較して、15%の電力効率の向上と35%以上のビット密度の改善を実現するとのことだ。

同社のDRAMプロセスインテグレーション担当副社長であるThy Tran氏によると、これは最先端のパターン増設技術、新プロセス、新材料、およびより高度な装置を用いてメモリセルアレイを縮小することにより実現されたとのことだ。

「私たちは、メモリセルのサイズだけでなく、ダイ内の他の回路も積極的に縮小してスペースを節約し、電力と性能の向上を最適化しながら、所定の密度で可能な限り小さなダイを提供することができます」と Tran 氏は述べている。

1βにより、携帯電話からインテリジェントカーやデータセンターまで、幅広いアプリケーションで低消費電力かつ高性能なDRAMが実現されるとMicronは述べている。

Micronは、Samsung（サムスン）やSK Hynix（SKハイニクス）と異なり、Micronは業界の一部で期待されていたように、1β生産ノードでは極端紫外線（EUV）リソグラフィを使用していない。そのため、DRAMセルの小型化を続けるためには、様々なマルチパターニング技術に頼らざるを得ない。

「1βでは、メモリセルアレイを小型化するために、新しいプロセス、材料、およびメモリセル集積度を向上させる先進的な装置も導入しています。（中略）技術的なメリットと設計の革新性を最大限に引き出すために、私たちはメモリセルの高さのサイズとダイの残りの回路の両方を積極的に拡大し、スペースを節約して、電力と性能の向上を最適化しながら、所定の密度で可能な限り小さなダイをお届けしています」と、Tran氏は説明する。「Micron独自のパターニング技術であるマルチパターニング技術を適用することで、成熟度が低く高価なツールを導入することなく、この技術を実装できるようになりました。」

Micronが最先端ノードを利用して作る最初の製品は16Gb LPDDR5X-8500メモリだが、いずれは他の製品にもこのノードを利用するようになる予定である。16Gb LPDDR5Xチップは、省電力化のためにeDVFSC（Enhanced Dynamic Voltage and Frequency Scaling Extensions Core）電圧制御技術を提供するという。

LPDDR5Xメモリは、タブレットやスマートフォンなどのモバイルアプリケーションだけでなく、PCクラスのシステムオンチップや人工知能（AI）アクセラレータなど、帯域を必要とするさまざまなアプリケーションのパフォーマンスを向上させるために設計されている。

Micronによれば、現在、LPDDR5X-8500 DRAMのサンプルを関係者に出荷しており、認定手続きに合格した時点で、これらのICの量産を開始する予定だ。